什么是电容效应_什么是电容效应

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...存储申请半导体结构及其制备方法专利,减少相邻位线间的耦合电容效应与有源区之间。该半导体结构通过将位线设置为位于与有源区相交叠的第一部分以及位于相邻有源区之间的第二部分,并将位线第二部分的位线导电层设置为顶面低于位线第一部分的位线导电层的顶面,如此设置可以减少相邻位线相对的截面积,进而减少相邻位线间的耦合电容效应。

...清除方法和装置专利,避免海缆线路的强电容效应导致故障点电弧重燃受端切换直流 偏置输出量到零,送端和受端直流偏置控制器的输入输出量通 过速率控制器限制,减少控制量突变在海缆等效电容上带来的 影响,避免了海缆线路的强电容效应导致故障点电弧重燃,使 故障清除策略失效的问题,解决了现有技术缺少可靠的海上风 电送出线路直流故障主动清除...

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↓。υ。↓ ...其形成方法专利,减小半导体结构内栅电极与漏电极之间的寄生电容效应所述衬底的表面上;漏电极,位于所述衬底的背面上;隔离结构,位于所述外延层内,所述隔离结构背离所述衬底的表面与所述外延层背离所述衬底的表面平齐,且所述栅极结构在所述外延层上的正投影覆盖所述隔离结构。本发明减小了半导体结构内栅电极与漏电极之间的寄生电容效应。

...半导体结构及其形成方法专利,降低了半导体结构内部的电容耦合效应沟槽,沟槽在基底的顶面上的投影为环形,且沟槽沿第一方向的底部暴露最顶层的导电互连层;导电接触层,连续覆盖沟槽的内壁和介质层的顶面,且导电接触层与最顶层的导电互连层电连接。本公开降低了半导体结构内部的电容耦合效应,实现了对所述半导体结构性能和制造良率的改进。

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苏州龙驰半导体科技申请电容耦合栅控结型场效应晶体管专利,解决...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“电容耦合栅控结型场效应晶体管”的专利,公开号 CN 119029050 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本申请提供了一种电容耦合栅控结型场效应晶体管,包括衬底、外延层、多个...

苏州龙驰申请垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管专利,解决传统...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管”的专利,公开号 CN 118983342 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,包括...

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苏州龙驰半导体科技申请垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法”的专利,公开号CN 119029041 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请提供了一种垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效...

美光科技取得铁电电容器等相关专利金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为“铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法”的专利,授权公告号CN 113644194 B,申请日期为2016年11月。

顺络电子:钽电容业务处于初始阶段,客户认可度高钽电容两类新产品,目前是否已经到了一定的规模效应阶段?目前产品线是否已经盈利?预计什么时候能先达到5亿以上的收入级别?盼复,谢谢。公司回答表示:1.公司通过材料、工艺、制造方面深厚的积累,已经开发出全新工艺的新型结构钽电容产品,可以广泛应用于通讯、消费类电子、汽...

国泰海通:触觉传感器为人形机器人硬件侧落地核心瓶颈智通财经APP获悉,国泰海通发布研报称,头部人形机器人或灵巧手厂家陆续推出迭代的触觉方案,触觉由手向身体其他部位扩散应用,触觉传感器成本快速收敛。触觉成为当前人形机器人落地商用的一大瓶颈,触觉传感技术方案百家争鸣,当前产业优选电容与霍尔效应两类技术。未来触觉传...